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制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 配置 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 功率 - 最大值 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 电流 - 集电极截止(最大值) 输入电容 (Cies) @ Vce 输入 NTC 热敏电阻 工作温度 安装类型 供应商设备封装




































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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IGBT 模块

图片 型号 库存 价格 数量 规格书 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 配置 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 功率 - 最大值 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 电流 - 集电极截止(最大值) 输入电容 (Cies) @ Vce 输入 NTC 热敏电阻 工作温度 安装类型 供应商设备封装
CPV363M4K

CPV363M4K

IGBT MODULE 600V 11A 36W IMS-2

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,697

-

- 19-SIP (13 Leads), IMS-2 Bulk Active - Three Phase Inverter 600 V 11 A 36 W 2V @ 15V, 11A 250 µA 740 pF @ 30 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole IMS-2
CPV363M4U

CPV363M4U

IGBT MODULE 600V 13A 36W IMS-2

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,481

-

- 19-SIP (13 Leads), IMS-2 Bulk Active - Three Phase Inverter 600 V 13 A 36 W 2V @ 15V, 13A 250 µA 1.1 nF @ 30 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole IMS-2
VS-CPV364M4KPBF

VS-CPV364M4KPBF

IGBT MODULE 600V 24A 63W IMS-2

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,313

-

- 19-SIP (13 Leads), IMS-2 Bulk Obsolete - Three Phase Inverter 600 V 24 A 63 W 1.8V @ 15V, 24A 250 µA 1.6 nF @ 30 V Standard No -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole IMS-2
CPV364M4U

CPV364M4U

IGBT MODULE 600V 20A 63W IMS-2

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,124

-

- 19-SIP (13 Leads), IMS-2 Bulk Active - Three Phase Inverter 600 V 20 A 63 W 1.84V @ 15V, 20A 250 µA 2.1 nF @ 30 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole IMS-2
50MT060WH

50MT060WH

IGBT MODULE 600V 114A 658W 12MTP

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,681

-

- 12-MTP Module - Obsolete PT Half Bridge 600 V 114 A 658 W 3.2V @ 15V, 100A 400 µA 7.1 nF @ 30 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount 12-MTP
50MT060ULS

50MT060ULS

IGBT MODULE 600V 100A 445W 10MTP

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,034

-

- 10-MTP - Obsolete - Single 600 V 100 A 445 W 2.55V @ 15V, 100A 250 µA 14.7 nF @ 30 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount 10-MTP
VS-GA250SA60S

VS-GA250SA60S

IGBT MOD 600V 400A 961W SOT227

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,557

-

- SOT-227-4 Tube Obsolete - Single 600 V 400 A 961 W 1.66V @ 15V, 200A 1 mA 16.25 nF @ 30 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227
VS-GB90SA120U

VS-GB90SA120U

IGBT MOD 1200V 149A 862W SOT227

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,310

-

- SOT-227-4 Tube Obsolete NPT Single 1200 V 149 A 862 W 3.9V @ 15V, 75A 250 µA - Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227
VS-GB90DA60U

VS-GB90DA60U

IGBT MOD 600V 147A 625W SOT227

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,881

-

- SOT-227-4 Tube Obsolete NPT Single 600 V 147 A 625 W 2.8V @ 15V, 100A 100 µA - Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227
VS-CPV362M4KPBF

VS-CPV362M4KPBF

IGBT MODULE 600V 3PHASE IMS-2

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,472

-

- 19-SIP (13 Leads), IMS-2 Bulk Obsolete - - - - - - - - - No -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole IMS-2
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