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制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 配置 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 功率 - 最大值 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 电流 - 集电极截止(最大值) 输入电容 (Cies) @ Vce 输入 NTC 热敏电阻 工作温度 安装类型 供应商设备封装




































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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IGBT 模块

图片 型号 库存 价格 数量 规格书 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 配置 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 功率 - 最大值 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 电流 - 集电极截止(最大值) 输入电容 (Cies) @ Vce 输入 NTC 热敏电阻 工作温度 安装类型 供应商设备封装
VS-GT75YF120UT

VS-GT75YF120UT

ECONO - 4 PACK IGBT

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

107

-

- Module Box Active Trench Field Stop Full Bridge 1200 V 118 A 431 W 2.6V @ 15V, 75A 100 µA - Standard Yes -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount -
VS-GT90DA120U

VS-GT90DA120U

SOT-227 - SINGLE SWITCH IGBT + A

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,882

-

- SOT-227-4, miniBLOC Tube Active Trench Field Stop Single 1200 V 169 A 781 W 2.6V @ 15V, 75A 100 µA - Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227
VS-ENV020F65U

VS-ENV020F65U

POWER MODULE

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,507

-

* - Box Active - - - - - - - - - - - - -
VS-ENV020M120M

VS-ENV020M120M

POWER MODULE

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,499

-

* - Box Active - - - - - - - - - - - - -
VS-ENM040M60P

VS-ENM040M60P

POWER MODULE

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,370

-

* - Box Active - - - - - - - - - - - - -
VS-ENK025C65S

VS-ENK025C65S

POWER MODULE

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,414

-

* - Box Active - - - - - - - - - - - - -
VS-ENW30S120T

VS-ENW30S120T

POWER MODULE

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,999

-

* - Box Active - - - - - - - - - - - - -
VS-GT100TS065N

VS-GT100TS065N

MODULES IGBT - IAP IGBT

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,052

-

- Module Box Active Trench Field Stop Half Bridge Inverter 650 V 96 A 259 W 2.3V @ 15V, 100A 50 µA - Standard No -40°C ~ 175°C (TJ) Chassis Mount INT-A-PAK IGBT
VS-GT100TS065S

VS-GT100TS065S

MODULES IGBT - IAP IGBT

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,220

-

FRED Pt® Module Box Active Trench Half Bridge Inverter 650 V 247 A 517 W 1.32V @ 15V, 100A 100 µA - Standard No -40°C ~ 175°C (TJ) Chassis Mount INT-A-PAK IGBT
VS-GT150TS065S

VS-GT150TS065S

MODULES IGBT - IAP IGBT

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,354

-

FRED Pt® Module Box Active Trench Half Bridge Inverter 650 V 372 A 789 W 1.32V @ 15V, 150A 150 µA - Standard No -40°C ~ 175°C (TJ) Chassis Mount INT-A-PAK IGBT
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