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制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 配置 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 功率 - 最大值 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 电流 - 集电极截止(最大值) 输入电容 (Cies) @ Vce 输入 NTC 热敏电阻 工作温度 安装类型 供应商设备封装




































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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IGBT 模块

图片 型号 库存 价格 数量 规格书 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 配置 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 功率 - 最大值 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 电流 - 集电极截止(最大值) 输入电容 (Cies) @ Vce 输入 NTC 热敏电阻 工作温度 安装类型 供应商设备封装
VS-GT180DA120U

VS-GT180DA120U

IGBT MOD 1200V 281A 1087W SOT227

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

169

-

HEXFRED® SOT-227-4, miniBLOC Tube Active Trench Field Stop Single 1200 V 281 A 1087 W 2.05V @ 15V, 100A 100 µA 9.35 nF @ 25 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227
VS-GT100DA120UF

VS-GT100DA120UF

IGBT MOD 1200V 187A 890W SOT227

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

160

-

HEXFRED® SOT-227-4, miniBLOC Bulk Active Trench Single 1200 V 187 A 890 W 2.55V @ 15V, 100A 100 µA 6.15 nF @ 25 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227
VS-40MT120PHAPBF

VS-40MT120PHAPBF

MTP - HALF BRIDGE IGBT

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

105

-

- 12-MTP Module Tube Active Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 75 A 305 W 2.65V @ 15V, 40A 50 µA 3.2 nF @ 25 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole 12-MTP
VS-ENY050C60

VS-ENY050C60

POWER MODULE

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

110

-

* - Box Active - - - - - - - - - - - - -
VS-ENZ025C60N

VS-ENZ025C60N

POWER MODULE

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

110

-

* - Box Active - - - - - - - - - - - - -
VS-GT90SA120U

VS-GT90SA120U

SOT-227 - SINGLE SWITCH IGBT

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

144

-

- SOT-227-4, miniBLOC Tube Active Trench Field Stop Single 1200 V 169 A 781 W 2.6V @ 15V, 75A 100 µA - Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227
VS-GT55NA120UX

VS-GT55NA120UX

SOT-227 - HIGH SIDE CHOPPER IGBT

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

129

-

- SOT-227-4, miniBLOC Tube Active Trench Field Stop Single Chopper 1200 V 68 A 291 W 2.8V @ 15V, 50A 50 µA - Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227
VS-GT55LA120UX

VS-GT55LA120UX

SOT-227 - LOW SIDE CHOPPER IGBT

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

212

-

- SOT-227-4, miniBLOC Tube Active Trench Field Stop Single Chopper 1200 V 68 A 291 W 2.8V @ 15V, 50A 50 µA - Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227
VS-GT50YF120NT

VS-GT50YF120NT

ECONO - 4 PACK IGBT

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

108

-

- Module Box Active Trench Field Stop Full Bridge 1200 V 64 A 231 W 2.8V @ 15V, 50A 50 µA - Standard Yes -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount -
VS-GT75YF120NT

VS-GT75YF120NT

ECONO - 4 PACK IGBT

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

105

-

- Module Box Active Trench Field Stop Full Bridge 1200 V 118 A 431 W 2.6V @ 15V, 75A 100 µA - Standard Yes -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount -
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