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Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40MT120PHAPBF

型号:
VS-40MT120PHAPBF
品牌:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
分类:
IGBT 模块
封装:
12-MTP Module
描述:
MTP - HALF BRIDGE IGBT
数量:
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深圳市通胜兴电子有限公司
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VS-40MT120PHAPBF 规格参数

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产品属性
属性值
品牌:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
系列:
-
封装/外壳:
12-MTP Module
包装:
Tube
产品状态:
Active
IGBT 类型:
Trench Field Stop
配置:
Half Bridge
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
75 A
功率 - 最大值:
305 W
导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic:
2.65V @ 15V, 40A
电流 - 集电极截止(最大值):
50 µA
输入电容 (Cies) @ Vce:
3.2 nF @ 25 V
输入:
Standard
NTC 热敏电阻:
No
工作温度:
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:
Through Hole
供应商设备封装:
12-MTP
类别:
IGBT 模块

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(1)在90天内通知我们

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图片 VS-GT180DA120U VS-GT100DA120UF VS-40MT120PHAPBF VS-ENY050C60 VS-ENZ025C60N
型号 VS-GT180DA120U VS-GT100DA120UF VS-40MT120PHAPBF VS-ENY050C60 VS-ENZ025C60N
品牌 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
系列 HEXFRED® HEXFRED® - * *
封装/外壳 SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC 12-MTP Module - -
包装 Tube Bulk Tube Box Box
产品状态 Active Active Active Active Active
IGBT 类型 Trench Field Stop Trench Trench Field Stop - -
配置 Single Single Half Bridge - -
电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 1200 V 1200 V 1200 V - -
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 281 A 187 A 75 A - -
功率 - 最大值 1087 W 890 W 305 W - -
导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 100A 2.55V @ 15V, 100A 2.65V @ 15V, 40A - -
电流 - 集电极截止(最大值) 100 µA 100 µA 50 µA - -
输入电容 (Cies) @ Vce 9.35 nF @ 25 V 6.15 nF @ 25 V 3.2 nF @ 25 V - -
输入 Standard Standard Standard - -
NTC 热敏电阻 No No No - -
工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) - -
安装类型 Chassis Mount Chassis Mount Through Hole - -
供应商设备封装 SOT-227 SOT-227 12-MTP - -
APT60GA60JD60
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Microchip Technology

F3L25R12W1T4B27BOMA1
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