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制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 配置 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 功率 - 最大值 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 电流 - 集电极截止(最大值) 输入电容 (Cies) @ Vce 输入 NTC 热敏电阻 工作温度 安装类型 供应商设备封装




































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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IGBT 模块

图片 型号 库存 价格 数量 规格书 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 配置 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 功率 - 最大值 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 电流 - 集电极截止(最大值) 输入电容 (Cies) @ Vce 输入 NTC 热敏电阻 工作温度 安装类型 供应商设备封装
VS-GT100NA120UX

VS-GT100NA120UX

IGBT MOD 1200V 134A 463W SOT227

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,820

-

- SOT-227-4, miniBLOC Bulk Obsolete Trench Single 1200 V 134 A 463 W 2.85V @ 15V, 100A 100 µA - Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227
VS-GT140DA60U

VS-GT140DA60U

IGBT MOD 600V 200A 652W SOT227

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,591

-

- SOT-227-4, miniBLOC Bulk Obsolete Trench Single 600 V 200 A 652 W 2V @ 15V, 100A 100 µA - Standard No -40°C ~ 175°C (TJ) Chassis Mount SOT-227
VS-50MT060PHTAPBF

VS-50MT060PHTAPBF

MODULES IGBT - MTP SWITCH

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,313

-

HEXFRED® 12-MTP Module Bulk Active Trench Field Stop Half Bridge 600 V 121 A 305 W 1.64V @ 15V, 50A 100 µA 6000 pF @ 25 V Standard Yes -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole 12-MTP
GB35XF120K

GB35XF120K

IGBT MODULE 1200V 50A 284W

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,816

-

- ECONO2 - Obsolete NPT Three Phase Inverter 1200 V 50 A 284 W 3V @ 15V, 50A 100 µA 3.475 nF @ 30 V Standard No 150°C (TJ) Chassis Mount -
VS-ETF150Y65N

VS-ETF150Y65N

IGBT MOD 650V 201A 600W

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,017

-

FRED Pt® Module Box Obsolete NPT Half Bridge Inverter 650 V 201 A 600 W 2.17V @ 15V, 150A - - Standard Yes 175°C (TJ) - Module
VS-GT100TP60N

VS-GT100TP60N

IGBT MOD 600V 160A INT-A-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,200

-

- INT-A-PAK (3 + 4) Bulk Obsolete Trench Half Bridge 600 V 160 A 417 W 2.1V @ 15V, 100A 5 mA 7.71 nF @ 30 V Standard No 175°C (TJ) Chassis Mount INT-A-PAK
VS-20MT120PFP

VS-20MT120PFP

MODULES IGBT - MTP SWITCH

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,283

-

HEXFRED® 16-MTP Module Bulk Active Trench Field Stop Full Bridge 1200 V 57 A 240 W 2.16V @ 15V, 20A 200 µA 1430 pF @ 30 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount 16-MTP
VS-ETF075Y60U

VS-ETF075Y60U

IGBT MOD 600V 109A EMIPAK-2B

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,295

-

- EMIPAK-2B Bulk Obsolete Trench Three Level Inverter 600 V 100 A 294 W 1.93V @ 15V, 75A 100 µA 4.44 nF @ 30 V Standard Yes 175°C (TJ) Chassis Mount EMIPAK-2B
VS-GT200TP065U

VS-GT200TP065U

MODULES IGBT - IAP IGBT

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,407

-

FRED Pt® Module Bulk Active Trench Field Stop Half Bridge 650 V 177 A 429 W 2.12V @ 15V, 200A 200 µA - Standard No -40°C ~ 175°C (TJ) Chassis Mount INT-A-PAK
VS-GT100DA120U

VS-GT100DA120U

IGBT MOD 1200V 258A 893W SOT227

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,107

-

- SOT-227-4, miniBLOC Bulk Obsolete Trench Single 1200 V 258 A 893 W 2.1V @ 15V, 100A 100 µA - Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227
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