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制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 配置 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 功率 - 最大值 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 电流 - 集电极截止(最大值) 输入电容 (Cies) @ Vce 输入 NTC 热敏电阻 工作温度 安装类型 供应商设备封装




































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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IGBT 模块

图片 型号 库存 价格 数量 规格书 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 配置 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 功率 - 最大值 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 电流 - 集电极截止(最大值) 输入电容 (Cies) @ Vce 输入 NTC 热敏电阻 工作温度 安装类型 供应商设备封装
VS-GA100TS120UPBF

VS-GA100TS120UPBF

IGBT MOD 1200V 182A INT-A-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,456

-

- INT-A-Pak Bulk Obsolete - Half Bridge 1200 V 182 A 520 W 3V @ 15V, 100A 1 mA 18.67 nF @ 30 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount INT-A-PAK
VS-GA200HS60S1PBF

VS-GA200HS60S1PBF

IGBT MOD 600V 480A INT-A-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,070

-

- INT-A-Pak Bulk Obsolete - Half Bridge 600 V 480 A 830 W 1.21V @ 15V, 200A 1 mA 32.5 nF @ 30 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount INT-A-PAK
VS-GA200SA60UP

VS-GA200SA60UP

IGBT MOD 600V 200A 500W SOT227

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,980

-

- SOT-227-4, miniBLOC Bulk Obsolete - Single 600 V 200 A 500 W 1.9V @ 15V, 100A 1 mA 16.5 nF @ 30 V Standard No -55°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227
VS-GA200TH60S

VS-GA200TH60S

IGBT MOD 600V 260A INT-A-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,690

-

- Double INT-A-PAK (3 + 4) Bulk Obsolete - Half Bridge 600 V 260 A 1042 W 1.9V @ 15V, 200A (Typ) 5 µA 13.1 nF @ 25 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount Double INT-A-PAK
VS-GA300TD60S

VS-GA300TD60S

IGBT MOD 600V 530A INT-A-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,513

-

- Dual INT-A-PAK (3 + 8) Bulk Obsolete - Half Bridge 600 V 530 A 1136 W 1.45V @ 15V, 300A 750 µA - Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount Dual INT-A-PAK
VS-GA400TD60S

VS-GA400TD60S

IGBT MOD 600V 750A INT-A-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,493

-

- Dual INT-A-PAK (3 + 8) Bulk Obsolete - Half Bridge 600 V 750 A 1563 W 1.52V @ 15V, 400A 1 mA - Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount Dual INT-A-PAK
VS-GB05XP120KTPBF

VS-GB05XP120KTPBF

IGBT MODULE 1200V 0 76W MTP

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,927

-

- 12-MTP Module Bulk Active - Three Phase Inverter 1200 V 12 A 76 W - 250 µA - Standard Yes -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount MTP
VS-GB100LH120N

VS-GB100LH120N

IGBT MOD 1200V 200A INT-A-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,156

-

- Double INT-A-PAK (3 + 4) Bulk Obsolete - Single 1200 V 200 A 833 W 1.77V @ 15V, 100A (Typ) 1 mA 8.96 nF @ 25 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount Double INT-A-PAK
VS-GB100LP120N

VS-GB100LP120N

IGBT MOD 1200V 200A INT-A-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,999

-

- INT-A-Pak Bulk Obsolete - Single 1200 V 200 A 658 W 1.8V @ 15V, 100A (Typ) 1 mA 7.43 nF @ 25 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount INT-A-PAK
VS-GB100NH120N

VS-GB100NH120N

IGBT MOD 1200V 200A INT-A-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,526

-

- Double INT-A-PAK (3 + 4) Bulk Obsolete - Single 1200 V 200 A 833 W 2.35V @ 15V, 100A 5 mA 8.58 nF @ 25 V Standard No 150°C (TJ) Chassis Mount Double INT-A-PAK
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