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制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 FET 特性 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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场效应晶体管(FET)、MOSFET 阵列

图片 型号 库存 价格 数量 规格书 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 FET 特性 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装
VHM40-06P1

VHM40-06P1

MOSFET 2N-CH 600V 38A ECO-PAC2

IXYS

6,509

-

- ECO-PAC2 Box Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 600V 38A 70mOhm @ 25A, 10V 5.5V @ 3mA 220nC @ 10V - - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount ECO-PAC2
VMM1000-01P

VMM1000-01P

MOSFET 2N-CH 100V 1000A Y3-LI

IXYS

2,616
VMM1000-01P

规格书

- Y3-Li Box Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 100V 1000A 1.2mOhm @ 800A, 10V 4V @ 10mA 2355nC @ 10V - - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount Y3-Li
VMM85-02F

VMM85-02F

MOSFET 2N-CH 200V 84A Y4-M6

IXYS

7,555
VMM85-02F

规格书

HiPerFET™ Y4-M6 Box Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 200V 84A 25mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 8mA 450nC @ 10V 15000pF @ 25V 370W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Y4-M6
VWM200-01P

VWM200-01P

MOSFET 6N-CH 100V 210A V2-PAK

IXYS

3,927
VWM200-01P

规格书

- V2-PAK Box Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 100V 210A 5.2mOhm @ 100A, 10V 4V @ 2mA 430nC @ 10V - - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount V2-PAK
GWM100-0085X1-SMD

GWM100-0085X1-SMD

MOSFET 6N-CH 85V 103A ISOPLUS

IXYS

3,910
GWM100-0085X1-SMD

规格书

- 17-SMD, Gull Wing Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 85V 103A 6.2mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 114nC @ 10V - - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount ISOPLUS-DIL™
GWM100-01X1-SLSAM

GWM100-01X1-SLSAM

MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS

IXYS

5,098

-

- 17-SMD, Flat Leads Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 100V 90A 8.5mOhm @ 80A, 10V 4.5V @ 250µA 90nC @ 10V - - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount ISOPLUS-DIL™
GWM100-01X1-SMDSAM

GWM100-01X1-SMDSAM

MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS

IXYS

3,762

-

- 17-SMD, Gull Wing Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 100V 90A 8.5mOhm @ 80A, 10V 4.5V @ 250µA 90nC @ 10V - - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount ISOPLUS-DIL™
GWM120-0075P3-SL

GWM120-0075P3-SL

MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS

IXYS

9,513
GWM120-0075P3-SL

规格书

- 17-SMD, Flat Leads Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 75V 118A 5.5mOhm @ 60A, 10V 4V @ 1mA 100nC @ 10V - - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount ISOPLUS-DIL™
FMM110-015X2F

FMM110-015X2F

MOSFET 2N-CH 150V 53A I4-PAC

IXYS

7,971

-

GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ i4-Pac™-5 Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 150V 53A 20mOhm @ 55A, 10V 4.5V @ 250µA 150nC @ 10V 8600pF @ 25V 180W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
FMP76-010T

FMP76-010T

MOSFET N/P-CH 100V 62A I4-PAC

IXYS

4,893

-

Trench™ i4-Pac™-5 Tube Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 100V 62A, 54A 11mOhm @ 25A, 10V 4.5V @ 250µA 104nC @ 10V 5080pF @ 25V 89W, 132W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
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