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制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 FET 特性 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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场效应晶体管(FET)、MOSFET 阵列

图片 型号 库存 价格 数量 规格书 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 FET 特性 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装
FMM75-01F

FMM75-01F

MOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC

IXYS

4,300

-

HiPerFET™ i4-Pac™-5 Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 100V 75A 25mOhm @ 50A, 10V 4V @ 4mA 180nC @ 10V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
FMM150-0075X2F

FMM150-0075X2F

MOSFET 2N-CH 75V 120A I4-PAC

IXYS

7,765

-

HiPerFET™, TrenchT2™ ISOPLUSi5-PAK™ Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical - 75V 120A 5.8mOhm @ 100A, 10V 4V @ 250µA 178nC @ 10V 10500pF @ 25V 170W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
MCB40P1200LB-TUB

MCB40P1200LB-TUB

MOSFET 2N-CH 1200V 58A SMPD

IXYS

4,053
MCB40P1200LB-TUB

规格书

- 9-SMD Power Module Tube Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) - 1200V (1.2kV) 58A - - - - - - - - Surface Mount SMPD
FMP76-01T

FMP76-01T

MOSFET N/P-CH 100V 54A I4-PAC

IXYS

3,439

-

- ISOPLUSi5-PAK™ Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel, Common Drain - 100V 54A (Tc), 62A (Tc) 24mOhm @ 38A, 10V, 11mOhm @ 25A, 10V 4V @ 250µA, 4.5V @ 250µA 197nC @ 10V, 104nC @ 10V 1370pF @ 25V, 5080pF @ 25V 89W, 132W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
FMP26-02P

FMP26-02P

MOSFET N/P-CH 200V 26A I4-PAC

IXYS

9,487

-

Polar™ i4-Pac™-5 Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 200V 26A, 17A 60mOhm @ 25A, 10V 5V @ 250µA 70nC @ 10V 2720pF @ 25V 125W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
FMP36-015P

FMP36-015P

MOSFET N/P-CH 150V 36A I4-PAC

IXYS

8,354

-

Polar™ i4-Pac™-5 Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 150V 36A, 22A 40mOhm @ 31A, 10V 5.5V @ 250µA 70nC @ 10V 2250pF @ 25V 125W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
FMM50-025TF

FMM50-025TF

MOSFET 2N-CH 250V 30A I4-PAC

IXYS

5,874

-

HiPerFET™ i4-Pac™-5 Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 250V 30A 50mOhm @ 25A, 10V 4.5V @ 250µA 78nC @ 10V 4000pF @ 25V 125W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
FMM60-02TF

FMM60-02TF

MOSFET 2N-CH 200V 33A I4-PAC

IXYS

2,827

-

HiPerFET™ i4-Pac™-5 Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 200V 33A 40mOhm @ 30A, 10V 4.5V @ 250µA 90nC @ 10V 3700pF @ 25V 125W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
GWM100-01X1-SMD

GWM100-01X1-SMD

MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS

IXYS

2,514

-

- 17-SMD, Gull Wing Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 100V 90A 8.5mOhm @ 80A, 10V 4.5V @ 250µA 90nC @ 10V - - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount ISOPLUS-DIL™
GWM120-0075P3

GWM120-0075P3

MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS

IXYS

2,092
GWM120-0075P3

规格书

- 17-SMD, Flat Leads Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 75V 118A 5.5mOhm @ 60A, 10V 4V @ 1mA 100nC @ 10V - - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount ISOPLUS-DIL™
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