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制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 FET 特性 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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结果:

场效应晶体管(FET)、MOSFET 阵列

图片 型号 库存 价格 数量 规格书 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 FET 特性 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装
VMM90-09F

VMM90-09F

MOSFET 2N-CH 900V 85A Y3-LI

IXYS

6,153

-

HiPerFET™ Y3-Li Box Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 900V 85A 76mOhm @ 65A, 10V 5V @ 30mA 960nC @ 10V - - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Y3-Li
MMPA60P1000TLA

MMPA60P1000TLA

MOSFET 2N-CH 1000V Y3-LI

IXYS

6,790

-

MMPA60P1000TLA Y3-Li Box Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N Channel (Phase Leg) - 1000V (1kV) - - - - - - - - - Chassis Mount Y3-Li
VMM300-03F

VMM300-03F

MOSFET 2N-CH 300V 290A Y3-DCB

IXYS

3,083

-

HiPerFET™ Y3-DCB Box Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 300V 290A 8.6mOhm @ 145A, 10V 4V @ 30mA 1440nC @ 10V 40000pF @ 25V 1500W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Y3-DCB
VMM650-01F

VMM650-01F

MOSFET 2N-CH 100V 680A Y3-LI

IXYS

8,899

-

HiPerFET™ Y3-Li Box Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 100V 680A 2.2mOhm @ 500A, 10V 4V @ 30mA 1440nC @ 10V - - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Y3-Li
FMK75-01F

FMK75-01F

MOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC

IXYS

7,016

-

HiPerFET™ i4-Pac™-5 Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 100V 75A 25mOhm @ 50A, 10V 4V @ 4mA 180nC @ 10V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
FMM150-0075P

FMM150-0075P

MOSFET 2N-CH 75V 150A I4-PAC

IXYS

4,718
FMM150-0075P

规格书

- i4-Pac™-5 Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 75V 150A 4.2mOhm @ 120A, 10V 4V @ 1mA 225nC @ 10V - - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
FMM65-015P

FMM65-015P

MOSFET 2N-CH 150V 65A I4-PAC

IXYS

8,540
FMM65-015P

规格书

- i4-Pac™-5 Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 150V 65A 22mOhm @ 50A, 10V 4V @ 1mA 230nC @ 10V - - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
IXTL2X200N085T

IXTL2X200N085T

MOSFET 2N-CH 85V 112A I5-PAK

IXYS

2,549

-

TrenchMV™ ISOPLUSi5-PAK™ Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 85V 112A 6mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 152nC @ 10V 7600pF @ 25V 150W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUSi5-Pak™
IXTL2X220N075T

IXTL2X220N075T

MOSFET 2N-CH 75V 120A I5-PAK

IXYS

9,125

-

TrenchMV™ ISOPLUSi5-PAK™ Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 75V 120A 5.5mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 165nC @ 10V 7700pF @ 25V 150W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUSi5-Pak™
IXTL2X240N055T

IXTL2X240N055T

MOSFET 2N-CH 55V 140A I5-PAK

IXYS

3,976

-

TrenchMV™ ISOPLUSi5-PAK™ Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 55V 140A 4.4mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 170nC @ 10V 7600pF @ 25V 150W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUSi5-Pak™
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