图片 | 型号 | 库存 | 数量 | 规格书 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | 技术 | 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) | 电流 - 平均整流(Io) | 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If | 速度 | 反向恢复时间 (trr) | 电流 - 反向漏电 @ Vr | 电容 @ Vr, F | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 | 工作温度 - 结点 |
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DCG10P1200HRDIODE SCHOTT 1.2KV 12.5A ISO247 IXYS |
3,586 |
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![]() 规格书 |
- | TO-247-3 | Tube | Obsolete | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 12.5A | 1.8 V @ 10 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - | 250 µA @ 1200 V | 755pF @ 0V, 1MHz | - | - | Through Hole | ISO247 | -40°C ~ 150°C |
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DCG17P1200HRDIODE SCHOTTKY 1.2KV 18A ISO247 IXYS |
6,538 |
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![]() 规格书 |
- | TO-247-3 | Tube | Obsolete | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 18A | 1.8 V @ 20 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - | 200 µA @ 1200 V | 1500pF @ 0V, 1MHz | - | - | Through Hole | ISO247 | -40°C ~ 150°C |
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DCG20C1200HRDIODE SIC 1.2KV 12.5A ISO247 IXYS |
3,933 |
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![]() 规格书 |
- | TO-247-3 | Tube | Obsolete | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 12.5A | 1.8 V @ 10 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - | 250 µA @ 1200 V | 755pF @ 0V, 1MHz | - | - | Through Hole | ISO247 | -40°C ~ 150°C |