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制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 通道数 电压 - 隔离 电流传输比(最小值) 电流传输比(最大值) 开启/关闭时间(典型值) 上升/下降时间(典型值) 输入类型 输出类型 电压 - 输出(最大) 电流 - 输出/通道 电压 - 正向 (Vf)(典型值) 电流 - 直流正向(If)(最大值) Vce 饱和(最大值) 等级 认证 工作温度 安装类型 供应商设备封装

















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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晶体管、光伏输出光隔离器

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H11D1300

H11D1300

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

onsemi

3,281
H11D1300

规格书

- 6-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete 1 5300Vrms 20% @ 10mA - 5µs, 5µs - DC Transistor with Base 300V 100mA 1.15V 80 mA 400mV - - -55°C ~ 100°C Through Hole 6-DIP
H11D2300

H11D2300

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

onsemi

1,524
H11D2300

规格书

- 6-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete 1 5300Vrms 20% @ 10mA - 5µs, 5µs - DC Transistor with Base 300V 100mA 1.15V 80 mA 400mV - - -55°C ~ 100°C Through Hole 6-DIP
MCT5200

MCT5200

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

onsemi

4,780
MCT5200

规格书

- 6-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete 1 5300Vrms 75% @ 10mA - 1.6µs, 18µs 1.3µs, 16µs DC Transistor with Base 30V 150mA 1.25V 50 mA 400mV - - -55°C ~ 100°C Through Hole 6-DIP
MCT5201

MCT5201

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

onsemi

2,326
MCT5201

规格书

- 6-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete 1 5300Vrms 120% @ 5mA - 3µs, 12µs 2.5µs, 16µs DC Transistor with Base 30V 150mA 1.25V 50 mA 400mV - - -55°C ~ 100°C Through Hole 6-DIP
MCT5210

MCT5210

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

onsemi

4,293
MCT5210

规格书

- 6-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete 1 5300Vrms 70% @ 3mA - 10µs, 400ns - DC Transistor with Base 30V 150mA 1.25V 50 mA 400mV - - -55°C ~ 100°C Through Hole 6-DIP
MCT5211

MCT5211

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

onsemi

1,486
MCT5211

规格书

- 6-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete 1 5300Vrms 150% @ 1.6mA - 14µs, 2.5µs - DC Transistor with Base 30V 150mA 1.25V 50 mA 400mV - - -55°C ~ 100°C Through Hole 6-DIP
MCT271

MCT271

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

onsemi

1,553
MCT271

规格书

- 6-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete 1 5300Vrms 45% @ 10mA 90% @ 10mA 1µs, 48µs - DC Transistor with Base 30V 50mA 1.25V 100 mA 400mV - - -55°C ~ 100°C Through Hole 6-DIP
4N25

4N25

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

onsemi

2,306
4N25

规格书

- 6-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete 1 5300Vrms 20% @ 10mA - 2µs, 2µs - DC Transistor with Base 30V - 1.18V 100 mA 500mV - - -55°C ~ 100°C Through Hole 6-DIP
4N26X

4N26X

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

onsemi

1,870
4N26X

规格书

- 6-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete 1 5300Vrms 20% @ 10mA - 2µs, 2µs - DC Transistor with Base 30V - 1.18V 100 mA 500mV - - -55°C ~ 100°C Through Hole 6-DIP
4N27

4N27

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

onsemi

1,433
4N27

规格书

- 6-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete 1 5300Vrms 10% @ 10mA - 2µs, 2µs - DC Transistor with Base 30V - 1.18V 100 mA 500mV - - -55°C ~ 100°C Through Hole 6-DIP
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