图片 | 型号 | 库存 | 数量 | 规格书 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | 类型 | 电流 - 直流正向(If)(最大值) | 辐射强度 (Ie) 最小值 @ If | 波长 | 电压 - 正向 (Vf)(典型值) | 视角 | 方向 | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
KPD101M31-CKPD101M31 - Silicon Photo Diode Kyoto Semiconductor |
22,256 |
|
- |
- | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
![]() |
KED521LT3KED521LT3 - Plastic Mold Visible Kyoto Semiconductor |
1,232 |
|
- |
- | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
![]() |
KED503KKED503K - Plastic Mold Visible L Kyoto Semiconductor |
1,058 |
|
![]() 规格书 |
- | Radial | Bulk | Active | Infrared (IR) | 100mA | - | 950nm | 1.2V | - | Top View | -20°C ~ 80°C | - | - | Through Hole |