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购物车| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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结果:
场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 图片 | 型号 | 库存 | 价格 | 数量 | 规格书 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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CP775-CWDM3011P-CMMOSFET P-CH 30V 11A DIE Central Semiconductor Corp |
9,103 | - |
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规格书 |
- | Die | Tray | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 11A (Ta) | 4.5V, 10V | 20mOhm @ 11A, 10V | 3V @ 250µA | 80 nC @ 10 V | ±20V | 3100 pF @ 8 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | Die |
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CP775-CWDM3011P-WNMOSFET P-CH 30V 11A DIE Central Semiconductor Corp |
6,431 | - |
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规格书 |
- | Die | Bulk | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 11A (Ta) | 4.5V, 10V | 20mOhm @ 11A, 10V | 3V @ 250µA | 80 nC @ 10 V | ±20V | 3100 pF @ 8 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | Die |
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CP802-CWDM3011P-CTMOSFET P-CH 30V 11A DIE Central Semiconductor Corp |
2,845 | - |
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规格书 |
- | Die | Tray | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 11A (Ta) | 4.5V, 10V | 13mOhm @ 1A, 10V | 3V @ 250µA | 80 nC @ 10 V | ±20V | 3100 pF @ 8 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | Die |
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CP775-CWDM3011P-CTMOSFET P-CH 30V 11A DIE Central Semiconductor Corp |
8,935 | - |
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规格书 |
- | Die | Tray | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 11A (Ta) | 4.5V, 10V | 20mOhm @ 11A, 10V | 3V @ 250µA | 80 nC @ 10 V | ±20V | 3100 pF @ 8 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | Die |
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|
CP802-CWDM3011P-CMMOSFET P-CH 30V 11A DIE Central Semiconductor Corp |
2,139 | - |
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规格书 |
- | Die | Tray | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 11A (Ta) | 4.5V, 10V | 13mOhm @ 1A, 10V | 3V @ 250µA | 80 nC @ 10 V | ±20V | 3100 pF @ 8 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | Die |
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CP771-CXDM4060P-WNMOSFET P-CH 40V 6A DIE Central Semiconductor Corp |
5,891 | - |
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规格书 |
- | Die | Bulk | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 6A (Ta) | - | 65mOhm @ 6A, 10V | 3V @ 250µA | 6.5 nC @ 4.5 V | ±25V | 750 pF @ 25 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | Die |
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CP771-CXDM4060P-CTMOSFET P-CH 40V 6A DIE Central Semiconductor Corp |
5,038 | - |
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规格书 |
- | Die | Tray | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 6A (Ta) | - | 65mOhm @ 6A, 10V | 3V @ 250µA | 6.5 nC @ 4.5 V | ±25V | 750 pF @ 25 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | Die |
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CEN1235 BKDIODE LOW LEAKAGE 12V SMD Central Semiconductor Corp |
7,752 | - |
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- |
- | - | Bulk | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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CDM2206-800LRMOSFET N-CH 800V 6A TO220 Central Semiconductor Corp |
8,724 | - |
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规格书 |
- | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 6A (Tc) | 10V | 950mOhm @ 3A, 10V | 4V @ 250µA | 24.3 nC @ 10 V | 30V | 474.7 pF @ 100 V | - | 110W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
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CP375-CWDM3011N-WNMOSFET N-CH 11A 30V BARE DIE Central Semiconductor Corp |
4,724 | - |
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规格书 |
- | Die | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 11A (Ta) | 4.5V, 10V | 20mOhm @ 11A, 10V | 3V @ 250µA | 6.3 nC @ 5 V | ±20V | 860 pF @ 15 V | - | 2.5W | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | Die |
