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购物车| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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结果:
场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 图片 | 型号 | 库存 | 价格 | 数量 | 规格书 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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FQB10N50CFTM-WSMOSFET N-CH 500V 10A DPAK Fairchild/ON Semiconductor |
4,000 | - |
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* | - | Tape & Reel (TR) | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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FDPF10N60NZMOSFET N-CH 600V 10A TO-220F Fairchild/ON Semiconductor |
728 | - |
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- |
* | - | Tube | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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FQA65N20MOSFET N-CH 200V 65A TO-3P Fairchild/ON Semiconductor |
3,905 | - |
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- |
QFET® | TO-3P-3, SC-65-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 65A (Tc) | 10V | 32mOhm @ 32.5A, 10V | 5V @ 250µA | 200 nC @ 10 V | ±30V | 7900 pF @ 25 V | - | 310W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-3PN |
