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制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 FET 特性 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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结果:

场效应晶体管(FET)、MOSFET 阵列

图片 型号 库存 价格 数量 规格书 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 FET 特性 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装
EPC7018DC

EPC7018DC

MOSFET 2N-CH 100V 70A 4SMD

EPC Space, LLC

3,227
EPC7018DC

规格书

eGaN® 4-SMD, No Lead Bulk Active GaNFET (Gallium Nitride) 2 N-Channel (Half Bridge) - 100V 70A (Tc) 6.5mOhm @ 70A, 5V 2.5V @ 5mA 17nC @ 5V 1700pF @ 50V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-SMD
FBG20N04AC

FBG20N04AC

MOSFET 200V 4A 4SMD

EPC Space, LLC

330
FBG20N04AC

规格书

eGaN® 4-SMD, No Lead Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) - Logic Level Gate 200V 4A (Tc) 130mOhm @ 4A, 5V 2.8V @ 1mA 3nC @ 5V 150pF @ 100V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-SMD
FBG30N04CSH

FBG30N04CSH

MOSFET 2N-CH 300V 4A 4SMD

EPC Space, LLC

2,977
FBG30N04CSH

规格书

eGaN® 4-SMD, No Lead Bulk Active GaNFET (Gallium Nitride) 2 N-Channel - 300V 4A (Tc) 404mOhm @ 4A, 5V 2.8V @ 600µA 2.6nC @ 5V 450pF @ 150V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-SMD
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