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制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 FET 特性 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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场效应晶体管(FET)、MOSFET 阵列

图片 型号 库存 价格 数量 规格书 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 FET 特性 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装
BSM120D12P2C005

BSM120D12P2C005

MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE

Rohm Semiconductor

1,339
BSM120D12P2C005

规格书

- Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 120A (Tc) - 2.7V @ 22mA - 14000pF @ 10V 780W -40°C ~ 150°C (TJ) - - - Module
BSM180D12P2E002

BSM180D12P2E002

MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE

Rohm Semiconductor

4,888
BSM180D12P2E002

规格书

- Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 204A (Tc) - 4V @ 35.2mA - 18000pF @ 10V 1360W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
BSM600D12P3G001

BSM600D12P3G001

MOSFET 2N-CH 1200V 600A MODULE

Rohm Semiconductor

4,499
BSM600D12P3G001

规格书

- Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 600A (Tc) - 5.6V @ 182mA - 31000pF @ 10V 2450W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
BSM180D12P3C007

BSM180D12P3C007

MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE

Rohm Semiconductor

1,726
BSM180D12P3C007

规格书

- Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) - 1200V (1.2kV) 180A (Tc) - 5.6V @ 50mA - 900pF @ 10V 880W 175°C (TJ) - - Surface Mount Module
BSM400D12P3G002

BSM400D12P3G002

MOSFET 2N-CH 1200V 400A MODULE

Rohm Semiconductor

2,795
BSM400D12P3G002

规格书

- Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 400A (Tc) - 5.6V @ 109.2mA - 17000pF @ 10V 1570W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
BSM300D12P3E005

BSM300D12P3E005

MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE

Rohm Semiconductor

2,281
BSM300D12P3E005

规格书

- Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 300A (Tc) - 5.6V @ 91mA - 14000pF @ 10V 1260W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
BSM400D12P2G003

BSM400D12P2G003

MOSFET 2N-CH 1200V 400A MODULE

Rohm Semiconductor

3,122
BSM400D12P2G003

规格书

- Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 400A (Tc) - 4V @ 85mA - 38000pF @ 10V 2450W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - - Module
BSM450D12P4G102

BSM450D12P4G102

MOSFET 2N-CH 1200V 447A MODULE

Rohm Semiconductor

3,313
BSM450D12P4G102

规格书

- Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel - 1200V (1.2kV) 447A (Tc) - 4.8V @ 218.4mA - 44000pF @ 10V 1.45kW (Tc) 175°C (TJ) - - Chassis Mount Module
EM5K5T2R

EM5K5T2R

MOSFET 2N-CH 30V 0.3A EMT5

Rohm Semiconductor

2,499

-

- 6-SMD (5 Leads), Flat Leads Tape & Reel (TR) Not For New Designs MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 30V 300mA 600mOhm @ 300mA, 4.5V - - - 150mW - - - Surface Mount EMT5
SH8M2TB1

SH8M2TB1

MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP

Rohm Semiconductor

171
SH8M2TB1

规格书

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Not For New Designs MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 30V 3.5A 83mOhm @ 3.5A, 10V 2.5V @ 1mA 3.5nC @ 5V 140pF @ 10V 2W 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
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