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制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 晶体管类型 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电阻 - 基极 (R1) 电阻 - 发射极基极 (R2) 直流电流增益(hFE)(最小值)@ Ic, Vce 集电极饱和电压 (Vce)(最大值)@ Ib, Ic 电流 - 集电极截止(最大值) 频率 - 跃迁 功率 - 最大值 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

























































































































































































































































































































































































































































































































































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应用所有
结果:

双极晶体管阵列,预偏置

图片 型号 库存 价格 数量 规格书 系列 封装/外壳 包装 产品状态 晶体管类型 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电阻 - 基极 (R1) 电阻 - 发射极基极 (R2) 直流电流增益(hFE)(最小值)@ Ic, Vce 集电极饱和电压 (Vce)(最大值)@ Ib, Ic 电流 - 集电极截止(最大值) 频率 - 跃迁 功率 - 最大值 等级 认证 安装类型 供应商设备封装
NSBA144EDXV6T1G

NSBA144EDXV6T1G

NSBA144EDXV6 - DUAL PNP BIAS RES

Fairchild Semiconductor

36,000
NSBA144EDXV6T1G

规格书

- SOT-563, SOT-666 Bulk Active 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 100mA 50V 47kOhms 47kOhms 80 @ 5mA, 10V 250mV @ 300µA, 10mA 500nA - 500mW - - Surface Mount SOT-563
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