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制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 晶体管类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 频率 - 跃迁 噪声系数(典型值 dB @ f) 增益 功率 - 最大值 直流电流增益(hFE)(最小值)@ Ic, Vce 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装












































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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双极射频晶体管

图片 型号 库存 价格 数量 规格书 系列 封装/外壳 包装 产品状态 晶体管类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 频率 - 跃迁 噪声系数(典型值 dB @ f) 增益 功率 - 最大值 直流电流增益(hFE)(最小值)@ Ic, Vce 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装
2001

2001

RF TRANS NPN 50V 2GHZ 55BT

Microsemi Corporation

8,340

-

- 55BT Bulk Obsolete NPN 50V 2GHz - 9.5dB 5W 20 @ 100mA, 5V 250mA - - - Chassis Mount 55BT
2003

2003

RF TRANS NPN 50V 2GHZ 55BT-1

Microsemi Corporation

2,174
2003

规格书

- 55BT-1 Bulk Obsolete NPN 50V 2GHz - 8.5dB 12W 10 @ 100mA, 5V 500mA 200°C (TJ) - - Chassis Mount 55BT-1
2301

2301

RF TRANS NPN 45V 2.3GHZ 55BT

Microsemi Corporation

7,849
2301

规格书

TrenchFET® 55BT Bulk Obsolete NPN 45V 2.3GHz - 8dB 5.6W 10 @ 100mA, 5V 300mA 200°C (TJ) - - Chassis Mount 55BT
0105-50

0105-50

RF TRANS NPN 65V 500MHZ 55JT

Microsemi Corporation

6,726
0105-50

规格书

- 55JT Bulk Obsolete NPN 65V 100MHz ~ 500MHz - 8.5dB ~ 10dB 140W 10 @ 1A, 5V 7A 200°C (TJ) - - Chassis Mount 55JT
0204-125

0204-125

RF TRANS NPN 60V 400MHZ 55JT

Microsemi Corporation

8,083
0204-125

规格书

- 55JT Bulk Obsolete NPN 60V 225MHz ~ 400MHz - 7dB ~ 8.5dB 270W 20 @ 1A, 5V 16A 200°C (TJ) - - Chassis Mount 55JT
MS2341

MS2341

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M115

Microsemi Corporation

2,237

-

- M115 Bulk Obsolete NPN 65V 1.025GHz ~ 1.15GHz - 9dB 87.5W - 2.6A 200°C (TJ) - - Chassis Mount M115
MS2361

MS2361

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M115

Microsemi Corporation

8,937

-

- M115 Bulk Obsolete NPN 65V 1.025GHz ~ 1.15GHz - 9dB 87.5W - 2.6A 200°C (TJ) - - Chassis Mount M115
MS2393

MS2393

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M138

Microsemi Corporation

3,976

-

- M138 Bulk Obsolete NPN 65V 1.025GHz ~ 1.15GHz - 8.2dB 583W 5 @ 300mA, 5V 11A 200°C (TJ) - - Chassis Mount M138
MS2421

MS2421

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M103

Microsemi Corporation

7,066

-

- M103 Bulk Obsolete NPN 65V 1.025GHz ~ 1.15GHz - 6.3dB 875W 10 @ 500mA, 5V 22A 200°C (TJ) - - Chassis Mount M103
MS2422

MS2422

RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ M138

Microsemi Corporation

5,406
MS2422

规格书

- M138 Bulk Obsolete NPN 65V 960MHz ~ 1.215GHz - 6.3dB 875W 10 @ 1A, 5V 22A 200°C (TJ) - - Chassis Mount M138
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